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Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique
Romain Cipro
gaas
silicium
figure
croissance
surface
d’antiphase
couche
substrat
parois
température
couches
puits
xas
densité
substrats
quantiques
d’inxga1
phys
matériaux
défauts
appl
dislocations
marches
recuit
growth
matériau
d’ingaas
sio2
ingaas
l’épaisseur
qualité
nucléation
croissances
epitaxie
grown
substrates
tampon
l’épitaxie
d’indium
maille
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